图表内容
图表12半导体存储器产品简介
存储产品
简介
Read only memory
即只读存储器
数据存入无法修改与删除
常用于系统。
ROM
可编程只读存储器
只能永久写入一次数据
写错就报废。目前
擦除可编程只读存储器
高电压写入数据
紫外线下清空
弥补ROM不足。
ROM:只读
存储器
断电
电子式可擦除可编程只读存储器
写入与擦除都是电压下进行
弥补了 EPROM
后数据不会丢 EEPROM
的容易曝光缺失数据的不足
全名叫 Flash EEPROM Memory
具备ROM与RAM的优势
可以用特定的程序修
改数据
快速的读取数据
写入很慢
Norflash
操作以bit为单位
bit单元是并联的
适用数据量较小的场合
Nand flash「以数据块为单位进行读取
bit单元是串联的
适用于数据量大ROM
Random access memory
随机存储器。可以随时读取与存储
速度很快。数据的临
RAM:随机
RAM
时存储器
断电后数据清零
存储器
断电
SRAM
Static RaM
存储器只要通电
数据保持恒定
可以随机读取与存入
丢失数据
Dynamic RAM每隔一段时间
存储器会自动充电一次
内部数据会更新
3D-XDoint
英特尔与美光研发中
基于电阻基础的存储技术
性能远超当前存储器
新型RAM
RRAM
阻变式存储器
施加金属氧化物电压不同
电阻变化不用
控制电流流向
下一代技术变
磁性随机存储器
用电流磁场进行编制
不涉及电子穿越芯片材料
可以无限次
MRAM
读写
不对芯片造成损伤
FRAM
利用铁电效应实现数据存储
依靠电场实现晶体原子的运动
不受磁场干扰
PCRAM
利用硫系化合物在电流热作用下实现结晶与非结晶状态
从而改变电阻
