图表内容
3:LGBT芯片技术发展历史
芯片技术发
技术特点
芯片饱和压降关断时间(微秒)功率损耗出现时间
展历史
面积
平面穿透型(PT)
0.5
第2
改进的平面穿透型(PT)
2.8
第3
沟槽型( Trench)
第4
非穿透型(N
第5
电场截止型(Fs
第6
沟槽型电场-截止型(FS
0.15
来源:上海微技术工业研究院及招银囯际证券
相关行业研究图表
2019年中国lGBT模组销量排名
项目案例研究:美国西弗吉尼亚
2019年中国动力电池装机电量/市场份额
比亚迪新能源汽车平均售价预测
比亚迪H股5年前瞻市净率区间
比亚迪燃油车平均售价预测
3:LGBT芯片技术发展历史
芯片技术发
技术特点
芯片饱和压降关断时间(微秒)功率损耗出现时间
展历史
面积
平面穿透型(PT)
0.5
第2
改进的平面穿透型(PT)
2.8
第3
沟槽型( Trench)
第4
非穿透型(N
第5
电场截止型(Fs
第6
沟槽型电场-截止型(FS
0.15
来源:上海微技术工业研究院及招银囯际证券
