图表内容
图表68:各世代半导体对比
半导体材料
第一代
低压、低频、中功率晶「取代了笨重电子管
导
锗(Ge)、硅(Si)
半导体
体管、光电探测器
致了集成电路的可能性
毫米波器件、发光器
第二代砷化镓(GaAs)、磷
件、卫星通讯、移动迺较好的电子迁移率、带
半导体
化铟(InP)
隙等材料特性
讯、光通讯、GPS导航等
碳化硅(SiC)、氮
高温、高频、抗辐射
化镓(GaN)、氧化
更优的电子迁移率、带
大功率器件;蓝绿紫光「隙、击穿电压、高频
半导体|锌(Zn0)、金刚石
半导体激光器
高温特
(C)、氮化铝(A|N)
料来源:产业信息网、万联证养研宠所
