图表内容
表10:半导体材料对比
物理量
带隙宽度(eV)
0.67
2.36
能带类型
间接
击穿场强(MVcm)
电子迁移率(cm2/Vs
<800
空穴迁移率(cm/Vs)
<20
<320
热导率(W/cmK)
和电子漂移速度(10cm/s)
晶格常数(A)
5.43
5.66
5.65
4.3596
3.0806/15.1173
键结合能(eV
资料来源:电子技术应用网、新时代证券研究所
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表10:半导体材料对比
物理量
带隙宽度(eV)
0.67
2.36
能带类型
间接
击穿场强(MVcm)
电子迁移率(cm2/Vs
<800
空穴迁移率(cm/Vs)
<20
<320
热导率(W/cmK)
和电子漂移速度(10cm/s)
晶格常数(A)
5.43
5.66
5.65
4.3596
3.0806/15.1173
键结合能(eV
资料来源:电子技术应用网、新时代证券研究所
