图表内容
图表301980~1996年应用材料薄膜沉积产品创新
自动化多室结构使其能够灵活地在一个系统上使用多达四个独立的室来执行
广泛的沉积过程
司鑪续向该系统添加功能
包括集成钨塞制造功能
该功能结合了覆盖钨
VD沉积和同一系统中的蚀刻功能。该公司还增加了钨硅化物和氮化钛的能
力
以进一步扩大精度5000平台的产
英寸晶片。进入金属化学气相沉
积市场。1991年
公司引进了CVD钨硅化物生产
993年引进了CVD
氮化钛生产能力;1996年引进了铝CVD生产能力。1996年12月
公司扩展
了其非常成功的巸 ndura hp金属产品线
推出了新的系统选项
用于在亚0.25
微米、高纵横比接触和通孔结构中沉积钛(T)和氮化钛(TN)薄膜
n 7700 EpiTM
