图表内容
表8:第三代半导体在高压、高频、高温环境下表现优异
第一代第二代
第三代
关键指标
指标含义
宽度越宽
耐压性越好
禁带宽度(eV)
1.1
3.3
第三代半导体:耐高压
漂移速度越大
高频性能
电子饱和漂移
1.0
2.2越好
速度(10~7cm/s)
第三代半导体:高频控制
热导率越高
散热越快
热导率(w/cmk)
0.5
第三代半导体:散热快
集成电
功率
主要应用
波射频器
射频器件
器件
资料来源:与非网、开源证券研究所
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表8:第三代半导体在高压、高频、高温环境下表现优异
第一代第二代
第三代
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宽度越宽
耐压性越好
禁带宽度(eV)
1.1
3.3
第三代半导体:耐高压
漂移速度越大
高频性能
电子饱和漂移
1.0
2.2越好
速度(10~7cm/s)
第三代半导体:高频控制
热导率越高
散热越快
热导率(w/cmk)
0.5
第三代半导体:散热快
集成电
功率
主要应用
波射频器
射频器件
器件
资料来源:与非网、开源证券研究所
