第三代半导体制造流程总体与硅基半导体类似

研究报告节选:

当前全球市场上，6 英寸 SiC 衬底已经实现商业化，主流几家大厂商推出 8 英寸衬底样品。据 CASA 预计，5 年内 8 英寸将全面商用。随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高、8 英寸产线有望逐步实现规模化生产，SiC 器件制造成本将持续下降，推进 SiC 器件和模块的普及。