图表内容
表3:功率半导体器件
功率半导体器件常用器件类型
劣势
应用领域
应用中必须考虑关断方式问题
电路结构上必
须设置关断(换流)电路
大大复杂了电路结构
功率二极管
结构和原理简单
工作可靠
增加了成本、限制了在频率较高的电力电子电
路中的应用。此外晶闸管的开关频率也不高
业和电力系统
难于实现变流装置的高频化
承受电压和电流容量在所有器件中最高开关速度低于电力 MOSFET
电压、电流容量
不及GTo
开关速度高
开关损耗小
具有耐脉冲开关速度低
为电流驱动
所需驱动功率大
驱
电流冲击的能力
通态压降较低
输入动电路复杂
存在二次击穿问题
功率分立器件
阻抗高
为电压驱动
驱动功率
电流关断增益很小
关断时门极负脉冲电流
GTR
压高
电流大
开关特性好
通流能大
开关速度低
驱动功率大
驱动电路复
计算机、通信
力强
饱和压降低
杂
开关频率低
消费电子、汽车
电子为代表的
电压、电流容量大
适用于大功率场
GTO
耐压低
一般只适用于功率不超过4C行业
合
具有电导调制效应
其通流能力很10kW的电力电子装置
开关速度快
输入阻抗高
热稳定性
MOSFET
好
所需驱动功率小且驱动电路简单
电流容量小
耐压低
一般只适用于功率不超
作频率高
不存在二次击穿问题
过10kW的电力电子装置
体积小、重量轻、引出线和焊接点少
功率c
寿命长、可靠性高、性能好、成本低
电子产品
便于大规模生产
功率半导体模块可根据封装的元器件的不
功率模组
电子产品
实现不同功能