图表内容
图21:异质结电池结构示意图
Surface grid electro
1&P-layer a-si by PECVD
100-250m
N-type c-Si
1&N-layer asi by PECVD
Surface grid electrode
研究报告节选:
HJT 电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer,异质结电池,也被称为HIT/HDT/SHJ)的特征是正面 PN 结和背面高低结均是由晶体硅和非晶硅形成的,电池呈对称结构。 HJT 电池的优势明显,它的制备工序少,且在相对低温下进行;温度系数小,电池性能稳定;双面对称结构,对光的利用率高;衰减率低。但同时 HJT 电池量产难度大,成本高,且与现有 PERC 产线完全不兼容。