图表内容
表15:三代半导体材料对比
代际
代表材料
持点与应用
第一代半导硅(Si)、锗(Ge)应用于大规模集成电路中
产业链成熟
成本低
体材料
笫二代半导砷化镓(GaAs)、磷化适用于制作高速、高频、大功率及发光电子器件
体材料
铟(InP
泛应用于卫星通讯、光通信、GPS导航等领域
笫三代半导碳化硅(siC)、氮化镓宽禁带半导体材料
禁带宽度大于2e∨
可见光
体材料
(GaN)等
至紫外光的发光特性
抗高压、高温、高辐射性能优
越。主要用于半导体照明、电力电子器件、激光器等
贇来源:Wnd
中港证孝研宪所