图表内容
表13：T0PCon多晶硅沉积技术路线对比
路线
优势
劣势
LPCVD
工艺成熟、集成度高，成膜质量好，
低压化学气相沉积法
装备产能大，控制简单容易
绕镀问题和石英件沉积严重
PECVD
沉积速度快，无绕镀
存在爆膜问题，镀膜均匀性差
等离子体增强化学气相沉积法
PVD
等离子氧化及等离子辅助原位
镀膜均匀性较差，退火温度相对较
无绕镀，工艺流程少，能耗低
掺杂技术
资料来源：公司招股书，Wind
国信证券经济研究所整理
相关行业研究图表
各环节价格变化率回顾(M6,以2020年1月为基数)
公司高管及核心技术人员介绍
GUOSEN SECURITIES
可比公司2020年营收结构（按业务类别）
晶科能源SWoT分析
公司历次股权融资回顾
表13：T0PCon多晶硅沉积技术路线对比
路线
优势
劣势
LPCVD
工艺成熟、集成度高，成膜质量好，
低压化学气相沉积法
装备产能大，控制简单容易
绕镀问题和石英件沉积严重
PECVD
沉积速度快，无绕镀
存在爆膜问题，镀膜均匀性差
等离子体增强化学气相沉积法
PVD
等离子氧化及等离子辅助原位
镀膜均匀性较差，退火温度相对较
无绕镀，工艺流程少，能耗低
掺杂技术
资料来源：公司招股书，Wind
国信证券经济研究所整理
