图表内容
表5：功率半导体器件对比
类型
可控性
驱动形式
导通方向
特点
二极管
不可控型
电流驱动
单向
电压电流较小
晶闸管
半控型
电压驱动
单向
体积小、耐高压
MOSFET
全控型
电压驱动
双向
开关频率高，不耐超高压，可改变电压
IGBT
全控型
电压驱动
双向
能承受高电压，不能放大电压
资料来源：半导体行业观察，西部证卷研发中心
功率半导体器件对比
研究报告节选:
IGBT 是由 BJT 和 MOS 组合而成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。近 20 年来各个领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，MOSFET 和 IGBT 逐渐成为主流。多个 IGBT可以集成为 IGBT 模块，更适应于于大电流和大电压的环境。最后更新: 2022-04-12
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表5：功率半导体器件对比
类型
可控性
驱动形式
导通方向
特点
二极管
不可控型
电流驱动
单向
电压电流较小
晶闸管
半控型
电压驱动
单向
体积小、耐高压
MOSFET
全控型
电压驱动
双向
开关频率高，不耐超高压，可改变电压
IGBT
全控型
电压驱动
双向
能承受高电压，不能放大电压
资料来源：半导体行业观察，西部证卷研发中心
