金刚线母线直径的变化趋势（μm)》

研究报告节选:

目前 P 型单晶硅片薄片化经历了 350μm、250μm、220μm、200μm、180μm 等多个节点，平均厚度达 175μm，2021 年底已降至 165μm，2022 年有望达到 160μm。作为下一代电池片衬底的 N 型硅片，2021 年厚度降至 160μm，目前已经具备 120-140μm 的薄片技术，远期有望达到 100-120μm。