图表内容
图表13：汽车半导体生产工艺平台
逻辑芯片
BCD
IGBT
主流
90nm/
16nm及
40/55/65nm
28/40/55/65nm/
平面穿透
技术
0.13μm
以上
及以上
0.11μm及以上
平台
0.18μm
先进
沟槽电场
7nm
28nm
28nm
40nm
平台
截止型
SMIC
14nm
55/65nm
55nm
90nm
平台
高性能
用途
数据存储
高速成像/传感
电源管理
计算
资料来源：汽车电子产业联盟，五矿证券研究所
汽车半导体生产工艺平台
研究报告节选:
由于应用场景及目的不同，汽车与手机对芯片的性能要求也有所不同，汽车由于有载人功 能，且会经历不同的环境变化，因此对安全性、不同温度场景下的可靠性要求更高，汽车 芯片要求零故障率、工作温度-40-155°C，工作寿命 10-15 年；而在功耗和运算速度上要求不 高，除了逻辑芯片 16nm 以外，其他的 NVM、CIS 、BCD、IGB T 等芯片往往仅需要 28nm 及以上成熟工艺就能满足运算需求。最后更新: 2022-05-15
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BCD
IGBT
主流
90nm/
16nm及
40/55/65nm
28/40/55/65nm/
平面穿透
技术
0.13μm
以上
及以上
0.11μm及以上
平台
0.18μm
先进
沟槽电场
7nm
28nm
28nm
40nm
平台
截止型
SMIC
14nm
55/65nm
55nm
90nm
平台
高性能
用途
数据存储
高速成像/传感
电源管理
计算
资料来源：汽车电子产业联盟，五矿证券研究所
