功率半导体对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

功率半导体对比

研究报告节选:

在功率器件中,晶体管份额最大,常见的晶体管主要有 B JT、MOSFE T 和 IGB T,MOS FE T是金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种广泛使用在模拟电路与数字电路的场效 晶体 管,更适用于高频场景;IGB T 是绝缘栅双极晶体管,是同时具备 MOSFE T 的栅电极电压 控制特性和 BJT 的低导通电阻特性的全控型功率半导体器件,更适用于高压场景。
《汽车电动化深度:新能源车销量+渗透率双升,IGBT与SiC大放异彩》
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最后更新: 2022-05-15

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图表内容


图表43:功率半导体对比
类型
可控性
驱动形式
导通方向
电压
特点
应用领域
电压电流小、
功率二极管
不可控
电流驱动
单向
低于1V
电子设备、工业
只能单向导电
工业、UPS、电
晶闸管
半控型
电压驱动
单向
几千V
体积小、耐压高
焊机、变频器
十几V到
能承受高电压、
电机、逆变器、
MOSFET
全控型
电压驱动
双向
1000V
不能放大电压
高铁、汽车
开关频率高、不耐超高压、
IGBT
全控型
电压驱动
双向
600V以上
高速开关电源
可改变电压
体积小、重量轻、引出线和
焊接点少、寿命长、可靠性
功率C
通常包括电源管理C、驱动C等
电子产品
高、性能好、成本低、便于
大规模生产