图表内容
表68：从家用插座到超高功率充电桩
带充电墙意的家用
45分钟
料来源：Infineon
五矿证券研究所
从家用插座到超高功率充电桩
研究报告节选:
1）能量损耗低。SiC 模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等 IGB T 模块，且随着开 关频率的提高，损耗越低，同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程；最后更新: 2022-05-15
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2018-2020年650 V SiC MOSFET和Si IGBT价格（元/A)
表68：从家用插座到超高功率充电桩
带充电墙意的家用
45分钟
料来源：Infineon
五矿证券研究所
