同规格SiC器件与Si器件对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

同规格SiC器件与Si器件对比

研究报告节选:

相对介电常数 击穿场强(106V/cm) 饱和电子漂移速率(107cm/s) 电子迁移率(cm2/Vs)
最后更新: 2022-05-15

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图表内容


表72:同规格SiC器件与Si器件对比
器件
系统
导通电阻1/200
能量损失
小于1/4
尺寸1/10
导通损耗
Si MOSFET
SiC MOSFET
SiIGBT
SiC MOSFET
来源:ROHM
五矿证券研究所