图表内容
表72：同规格SiC器件与Si器件对比
器件
系统
导通电阻1/200
能量损失
小于1/4
尺寸1/10
导通损耗
Si MOSFET
SiC MOSFET
SiIGBT
SiC MOSFET
来源：ROHM
五矿证券研究所
同规格SiC器件与Si器件对比
研究报告节选:
相对介电常数 击穿场强（106V/cm） 饱和电子漂移速率（107cm/s） 电子迁移率（cm2/Vs）最后更新: 2022-05-15
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表72：同规格SiC器件与Si器件对比
器件
系统
导通电阻1/200
能量损失
小于1/4
尺寸1/10
导通损耗
Si MOSFET
SiC MOSFET
SiIGBT
SiC MOSFET
来源：ROHM
五矿证券研究所
