图表内容
图表70：Si、SiC、GaN性能参数对比
指标参数
Si
Sic
GaN
禁带宽度(eV)
1.12
3.2
3.4
相对介电常数
11.9
9.7
9.5
击穿场强(10Vlcm)
0.3
3.5
3.3
饱和电子漂移速率(10'cms)
1.0
2.0
2.5
电子迁移率(cm㎡Ws)
热导率(W/cmK)
1.5
4.0
1.3
资料来源：《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》，ROHM
五矿证券研究所（注：表中所列SC数值为目前主流的SiC品
Si、SiC、GaN性能参数对比
研究报告节选:
相对介电常数 击穿场强（106V/cm） 饱和电子漂移速率（107cm/s） 电子迁移率（cm2/Vs）最后更新: 2022-05-15
相关行业研究图表
导电型SiC衬底
SiC器件成本结构
2021-2027年全球SiC功率器件及下游应用市场规模（百万美元）
汽车半导体生产工艺平台
同规格SiC器件与Si器件对比
关闭特性（与1200V产品比较）
图表70：Si、SiC、GaN性能参数对比
指标参数
Si
Sic
GaN
禁带宽度(eV)
1.12
3.2
3.4
相对介电常数
11.9
9.7
9.5
击穿场强(10Vlcm)
0.3
3.5
3.3
饱和电子漂移速率(10'cms)
1.0
2.0
2.5
电子迁移率(cm㎡Ws)
热导率(W/cmK)
1.5
4.0
1.3
资料来源：《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》，ROHM
五矿证券研究所（注：表中所列SC数值为目前主流的SiC品
