Si、SiC、GaN性能参数对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

Si、SiC、GaN性能参数对比

研究报告节选:

相对介电常数 击穿场强(106V/cm) 饱和电子漂移速率(107cm/s) 电子迁移率(cm2/Vs)
最后更新: 2022-05-15

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图表内容


图表70:Si、SiC、GaN性能参数对比
指标参数
Si
Sic
GaN
禁带宽度(eV)
1.12
3.2
3.4
相对介电常数
11.9
9.7
9.5
击穿场强(10Vlcm)
0.3
3.5
3.3
饱和电子漂移速率(10'cms)
1.0
2.0
2.5
电子迁移率(cm㎡Ws)
热导率(W/cmK)
1.5
4.0
1.3
资料来源:《宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路》,ROHM
五矿证券研究所(注:表中所列SC数值为目前主流的SiC品