图表内容
图表78：SiC器件成本结构
5%
6%
19%
47%
“外延
·研发费用
其他
23%
资料来源：CASA
五矿证券研究所
SiC器件成本结构
研究报告节选:
目前导电型 SiC 衬底以 6 英寸为主，8 英寸开始发展；半绝缘 SiC 衬底以 4 英寸为主 ，逐渐向 6 英寸发展。最后更新: 2022-05-15
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图表78：SiC器件成本结构
5%
6%
19%
47%
“外延
·研发费用
其他
23%
资料来源：CASA
五矿证券研究所
