国内SiC村底技术进展

研究报告节选:

对比国内外 SiC 衬底发展水平，国外已达到 8 英寸水平，Wolfspeed 已成功研发并投 建 8 英寸产品生产线，II-VI 已成功研制 8 英寸导电型 SiC 衬底，Soit ec 也宣称发布了首 片 8 英寸SiC 衬底；国内目前还处于 6 英寸水平及以下，计划在十四五期间突破 8 英寸衬底关键 技术。