图表内容
17:化学气相沉积法(CVD)合成培育钻石流程
反应舱
反应舱
反应舱
高温区
低温区
金属蝶介
调温调压
C分子去低温
C物质分解
C分子
区包住种子
长大的种子
含C物
如石墨
种子
其他
种子
钻石原石
料来源：中国超硬材料网，浙商证券研究所
化学气相沉积法(CVD)合成培育钻石流程
研究报告节选:
培育钻石主要技术路径为高温高压法（HTHP）和化学气相沉积法（CVD），我国目前 90%培育钻石原石由高温高压法生产。1）高温高压法（HTHP）：以石墨粉、金属触媒粉为主要原料，过液压装置保持恒定的超高温、高压条件来模拟天然金刚石结晶条件和生长环境合成出金刚石晶体。2）化学气相沉积法（CVD）：含碳气体和氧气混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解，形成活性金刚石碳原子，并通过控制沉积生长条件促使活性金刚石碳原子在基体上沉积交互生长成金刚石单晶。最后更新: 2022-05-16
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调温调压
C分子去低温
C物质分解
C分子
区包住种子
长大的种子
含C物
如石墨
种子
其他
种子
钻石原石
料来源：中国超硬材料网，浙商证券研究所
