三代半导体对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

三代半导体对比

研究报告节选:

SiC 的热导率是 Si 的大约 3 倍,热量更容易释放,同时 SiC 的热损耗更小,因此冷却部件可采用更小型产品,有利于实现器件的小型化、轻量化;根据英飞凌数据,采用 SiC 器件的逆变器体积相比硅基能减少 50%-80%,;(2)能量损耗更低:根据英飞凌数据,SiC-MOSFET 单管与 IGBT 单管相比,能量利用率大约提升 5%,模块化之后能量效率能够提升 10%左右。因此 SiC 能提升电池的续航里程或以更小尺寸电池实现同等的续航里程,从而降低电池成本;(3)高频:SiC 的电子饱和漂移速率是 Si 的 2 倍,可以实现比 Si 基 IGBT 更高的工作频率。
《汽车半导体行业深度:需求爆发叠加国产加速,汽车芯片十年腾飞期开启》
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最后更新: 2022-05-27

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图表内容


图23:三代半导体对比
产品类别
第一代半导体材料
第二代半导体材料
第三代半导体材料
代表材料
氨化镓(GaN)、碳化硅
储(Ge)、硅(Si)
(siC)、氧化锌(Zn0)
技术标准
大的品圆尺寸、窄的线宽
使通讯速度、信息容量与存储
密度提升
禁带宽度更高
主要产品形式
以大规模集成电路为主要技术
以光发射器件为基础的光通讯制造高频、大功率和高密度集
的计算机等电子产品
、光存储等光电子系统
成的电子器件
高频性能
高温性能
技术阶段
发展中
初期
壹科来源:新材料在线,观研天下,德邦研究所