图表内容
图23:三代半导体对比
产品类别
第一代半导体材料
第二代半导体材料
第三代半导体材料
代表材料
氨化镓(GaN)、碳化硅
储(Ge)、硅(Si)
(siC)、氧化锌(Zn0)
技术标准
大的品圆尺寸、窄的线宽
使通讯速度、信息容量与存储
密度提升
禁带宽度更高
主要产品形式
以大规模集成电路为主要技术
以光发射器件为基础的光通讯制造高频、大功率和高密度集
的计算机等电子产品
、光存储等光电子系统
成的电子器件
高频性能
高温性能
技术阶段
发展中
初期
壹科来源:新材料在线,观研天下,德邦研究所