图表内容
表11：国内功率半导体厂商SiC布局情况梳理
公司
公司经营模式
SiC布局情况
①自主研发的新一代650 V SiC JBS综合性能达到业界先进水平，多款产品实现量产
②平面型1200 V SiC MOSFET产出工程样品，静态技术参数达到国外对标样品水平
华润微
IDM
③自主研发的第一代650V硅基氮化稼CaSc0de器件样品静态参数达到国外对标水平，正在进行外延材料质量、芯
片面积及工艺的优化，以进一步提升器件可靠性和性价比
扬杰科技
IDM
已有第三代半导体相关技术及产品成果，和小批量SC器件供应市场
①公司的650V氮化镓(GaN)技术已经通过车规级测试
IDM
②碳化硅(SiC)产品已交付第一批品圆和样品
①已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线
士兰微
IDM
②2021年上半年，公司硅基GN化合物功率半导体器件的研发在持续推进中，公司SiC功率器件的中试线已在二
季度实现通钱
