多芯片SiP封装结构示意图（一）

研究报告节选:

——2）SiP 与其它封装技术比较，具有更高封装效率，更短产品上市周期，更高兼容性，更低系统成本，更小物理尺寸，更高电性能，更低功耗，更高稳定性。SiP 跟SoC 一样，都可以在芯片层面上实现产品的小型化和微型化。分别来看：（1）SoC：SoC 仍沿摩尔定律发展，其核心技术在于采用硅 CMOS 工艺在一个芯片上集成不同的功能，形成一个系统。然而，不同功能类型的集成电路需要 IP 研发或第三方授权，其产品开发周期长、流片成本高；同时，半导体材料除了硅外，还涉及 III-V 族化合物、铌酸锂/钽酸锂、玻璃、陶瓷等不同材料，各自对应的工艺制程并不相容；此外，IC CMOS 工艺与 MEMS 工艺也不一致，因而很难将不同种类、不同工艺开发的芯片集成到同一颗芯片中，难度更高。（2）SiP：SiP 则是通过高密度的表面贴装（SMT）、灵活多样的封装和电磁屏蔽，把诸如应用处理器、电源管理、无线传输、MEMS、音频和光学传感器、生物识别模块等多个电子器件集成在一个基板(Substrate)上，形成一个电子系统的整体或主要功能模块。SiP 跟 SoC 一样，都可以在芯片层面上实现产品的小型化和微型化。不同的是，SiP 是将多颗不同的芯片封装在一起，SoC 则是直接整合为一颗芯片。相较于其他封装类型，SiP 具备更高封装效率，更短产品上市周期，更高兼容性，更低系统成本，