多芯片SiP封装结构示意图(一)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

多芯片SiP封装结构示意图(一)

研究报告节选:

——2)SiP 与其它封装技术比较,具有更高封装效率,更短产品上市周期,更高兼容性,更低系统成本,更小物理尺寸,更高电性能,更低功耗,更高稳定性。SiP 跟SoC 一样,都可以在芯片层面上实现产品的小型化和微型化。分别来看:(1)SoC:SoC 仍沿摩尔定律发展,其核心技术在于采用硅 CMOS 工艺在一个芯片上集成不同的功能,形成一个系统。然而,不同功能类型的集成电路需要 IP 研发或第三方授权,其产品开发周期长、流片成本高;同时,半导体材料除了硅外,还涉及 III-V 族化合物、铌酸锂/钽酸锂、玻璃、陶瓷等不同材料,各自对应的工艺制程并不相容;此外,IC CMOS 工艺与 MEMS 工艺也不一致,因而很难将不同种类、不同工艺开发的芯片集成到同一颗芯片中,难度更高。(2)SiP:SiP 则是通过高密度的表面贴装(SMT)、灵活多样的封装和电磁屏蔽,把诸如应用处理器、电源管理、无线传输、MEMS、音频和光学传感器、生物识别模块等多个电子器件集成在一个基板(Substrate)上,形成一个电子系统的整体或主要功能模块。SiP 跟 SoC 一样,都可以在芯片层面上实现产品的小型化和微型化。不同的是,SiP 是将多颗不同的芯片封装在一起,SoC 则是直接整合为一颗芯片。相较于其他封装类型,SiP 具备更高封装效率,更短产品上市周期,更高兼容性,更低系统成本,
《环旭电子: 投资价值分析报告:SiP龙头强者恒强,ODM/EMS业务升级在望》
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最后更新: 2022-06-20

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21:多芯片SiP封装结构示意图(一)
有源
无源
SiP
料来源:《C封装与基础与工程设计》(毛忠宇、潘计划、袁正