第三代改良西门子法工艺流程-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

第三代改良西门子法工艺流程

研究报告节选:

(1)高技术壁垒:纯度系多晶硅产品核心参数,产业链技术迭代倒逼上游技术更新。太阳能级多晶硅纯度要求约为 6N-9N,对产品中氧、碳、金属等各类化学杂质均制定精确标准。纯度是衡量多晶硅产品质量的关键因素,杂质水平对下游拉晶环节具有显著影响,
最后更新: 2022-06-20

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图表内容


]10:第三代改良西门子法工艺流程
料来源:《多晶硅生产技术发展方向探讨》,浙商证券研究所