2021年公司产品技术创新-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

2021年公司产品技术创新

最后更新: 2022-07-14

相关行业研究图表


2021年公司产品技术创新
2021年公司产品技术创新-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
全球功率器件需求区域分布(单位:%)
全球功率器件需求区域分布(单位:%)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
2020年全球1GBT分立器件市场格局(单位:%)
2020年全球1GBT分立器件市场格局(单位:%)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
2020年全球1GBT模块市场格局(单位:%)
2020年全球1GBT模块市场格局(单位:%)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
公司主要产品及应用
公司主要产品及应用-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
新能源车替代带来的功率器件需求测算(单位:万辆、元、亿元)
新能源车替代带来的功率器件需求测算(单位:万辆、元、亿元)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

相关行业研究报告


图表内容


表102021年公司产品技术创新
公司产品
2021年技术产品创新
12寸1200V高频低饱和压降IGBT产品已经稳定量产,产品应用于光伏逆变行业,目前已在
IGBT平台
多家行业典型客户开始大批量应用。使用载流子存储技术的650V高密度沟槽栅IGBT产品已
初步开发完成,多款IGBT模块产品进入小批量生产。
深沟槽SJ-MOS四代沟槽栅产品进一步完成650V、700V产品平台搭建,超结四代平台形成
了500V~700V完整的产品系列。200V低压SJ MOS产品开发已取得阶段性进展。12寸
SJ-MOS平台
650V~700 V SJ MOS已进入稳定量产。超低特征导通电阻的第五代SJ MOS产品已有样品产
出,650V产品特征导通电阻可降至1ohm.mm2
中压P型SGT MOS平台实现量产,电性能达到国际水准;低压二代SGT MOS平台完成规格
SGT-MOS平台
型号拓展,产品数量增加至18款:基于12寸芯片产线,完成电化镀平台的开发验证并实现量
产。
在8英寸芯片产线的低压CSP产品平台基础上拓展出系列产品、完成了高可靠性的新型结构
Trench-MOS平台
大功率中压P型Trench-MOS设计&工艺模拟和工厂单项开发;在l2英寸芯片产线上完成了
多个N型中低压的工艺平台开发工作。
1200V新能源汽车用SiC MOS平台开发进行顺利,1200 V SiC MOSFET首次流片验证完成,
产品部分性能达到国内先进水平,产品综合特性及可靠性验证尚处于验证评估阶段:650VE
第三代半导体功率器件平台
Mode GaN HEMT首次流片验证完成,产品部分性能达到国内先进水平,产品综合特性及可靠
性尚处于验证评估中。
资料来源:公司公告,浙商证券研究所