图表内容
正邦电子(870482)深度报告
表4：我国近年促进功率半导体行业发展的相关政策
时间
发布机构
政策名称
内容概要
合光电子、微波光电子等领域前沿技术和器件研
发。
国家制造强国建
将8英寸、12英寸集成电路硅片列为新一代信息
《工业“四基”发展目录
2016年11月
设战略咨询委员
技术领域关键基础材料的首位，将功率半导体器
(2016年版)》
件列入先进轨道交通装备领域的核心基础零部件
(元器件)。
国家重点支持的高新技术领域：“一、电子信
息”之“（六）新型电子元器件”之“3.大功率
科技部、财政
《关于修订印发《高新技术
半导体器件”：“四、新材料”之“（一）金属
2016年1月
部、国家税务总
企业认定管理办法》的通
材料”之“6.半导体新材料制备与应用技术”：
知》
大尺寸硅单晶生长、晶片抛光片、S0I片及
SiGe/Si外延片制备加工技术；大尺寸砷化镓衬
底、抛光及外延片、GaAs/Si材料制备技术。
针对核心基础零部件（元器件）、先进基础工
艺、关键基础材料和产业技术基础（统称“四
2015年5月
国务院
《中国制造2025》
基”)等工业基础能力薄弱现状，着力破解制约
重点产业发展的瓶颈。大力推动十大重点领域突
破发展，其中新一代信息技术产业列在首位。
带动产业链协同可持续发展，努力实现集成电路
产业跨越式发展；到2020年，集成电路产业与国
《国家集成电路产业发展推
际先进水平的差距逐步缩小：到2030年，集成电
2014年6月
国务院
进纲要》
路产业链主要环节达到国际先进水平。突破集成
电路关键装备和材料，加强集成电路制造企业和
装备、材料企业的协作，加快产业化进程，增强
产业配套能力。设立国家产业投资基金。
资料来源：公开资料整理，东莞证券研究所
