图表内容
表12：SiC器件相比硅基半导体的优势
优势
具体说明
SiC模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等IGBT模块，且随着开关频率的提
能量损耗低
高，与IGBT模块的损耗差越大，SiC模块在降低损耗的同时可以实现高速开
关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点
封装尺寸更小
SC器件具备更小的能量损耗，能够提供较高的电流密度。在相同功率等级
下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度。
SiC器件相比硅基半导体的优势
研究报告节选:
具体说明SiC 模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等 IGBT 模块，且随着开关频率的提高，与 IGBT 模块的损耗差越大，SiC 模块在降低损耗的同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点SiC 器件具备更小的能量损耗，能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度。最后更新: 2022-07-27
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优势
具体说明
SiC模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等IGBT模块，且随着开关频率的提
能量损耗低
高，与IGBT模块的损耗差越大，SiC模块在降低损耗的同时可以实现高速开
关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点
封装尺寸更小
SC器件具备更小的能量损耗，能够提供较高的电流密度。在相同功率等级
下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度。
