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SiC器件相比硅基半导体的优势-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

SiC器件相比硅基半导体的优势

研究报告节选:

具体说明SiC 模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等 IGBT 模块，且随着开关频率的提高，与 IGBT 模块的损耗差越大，SiC 模块在降低损耗的同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点SiC 器件具备更小的能量损耗，能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块，有助于提升系统的功率密度。
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最后更新: 2022-07-27

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扬杰科技 | 东莞证券 | 2022-07-27 | 66个图表

图表内容

表12：SiC器件相比硅基半导体的优势
优势
具体说明
SiC材料的电子饱和漂移速率是Si的2倍，有助于提升器件的工作频率：高临
界击穿电场的特性使其能够将MOSFET带入高压领域，克服IGBT在开关过程中
可实现高频开关
的拖尾电流问题，降低开关损耗和整车能耗，减少无源器件如电容、电感等的
使用，从而减少系统体积和重量。
SiC的禁带宽度、热导率约是Si的3倍，可承受温度更高，高热导率也将带来
耐高温，散热能力强
功率密度的提升和热量的更易释放，冷却部件可小型化，有利于系统的小型化
和轻量化。

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