图表内容
图10：Si和SiC的额定电压范围（二极管）
6.5kV
少数载流子器件：
3.3kV
低导通电阻，低速
1.7kV
多数载流子器件：
快速
1.2kV
·明显降低
反向恢复损耗
900V
·通过高频化
实现设备的
小型化
600V
400V
100V
Si
SiC
《SC功率器件·模块应用笔记》安信证券研究中心
Si和SiC的额定电压范围（二极管）
研究报告节选:
3. 新能源行业持续景气，碳化硅行业处快速增长前夕 3.1. 碳化硅物理特性优良，适合制备高温、高压、高频器件 碳化硅物理特性优良，耐高温、高压、高频，是高压平台下功率器件的首要选择。碳化硅属于第三代半导体材料，适合制备耐高频、高压的功率器件，保证了其可击穿更高的电场强度，其应用在电力电子、通信射频等领域，应用非常广泛。 表 5： 半导体材料的指标参数对比 Properties Si Energy gap （eV） Electron Mobility （cm 2/Vs） Hole Mobility （cm 2/Vs） Breakdow n Field (V/cm )×106 Therm al Conductivity (W/cm OC) Saturation Drift Velocity (cm /s)×107 12.8 11.8 Relative Dielectric Constam t 资料来源：ROHM（罗姆）《SiC 功率器件・模块应用笔记》，安信证券研究中心最后更新: 2022-07-28
相关行业研究图表
直显厂商发布更小间距的LED显示屏
比亚迪采用SiC MOSFET模块
主要投资项目情况
国内车企布局碳化硅器件进展
公司股权结构(2022年第一季度)
del:3逆变器PCB板
图10：Si和SiC的额定电压范围（二极管）
6.5kV
少数载流子器件：
3.3kV
低导通电阻，低速
1.7kV
多数载流子器件：
快速
1.2kV
·明显降低
反向恢复损耗
900V
·通过高频化
实现设备的
小型化
600V
400V
100V
Si
SiC
《SC功率器件·模块应用笔记》安信证券研究中心
