图表内容
表12:半导体性能对比
指标
Si
GaAs
Sic
GaN
指标解读
直接带隙的半导体对光的利用率更好,
禁带结构
间接带隙
直接带隙
直接带隙
间接带隙
发光效率高
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到
禁带宽度
1.1
1.4
3.3
3.4
导带的难易,决定着器件的耐压
(ev)
最高工作温度及导通损耗
电子在电场作用下移动快慢程度,反应
电子迁移率
的是单位电场作用下的平均漂移
(cm2/Vs)
速度。迁移率大,电阻率小,通过相同
电流时,功耗越小,电流承载能力越大
介质在外加电场时会产生感应电荷而削
介电常数
11.9
13.1
10.1
弱电场,外加电场与最终介质中电场比