半导体性能对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

半导体性能对比

研究报告节选:

指标解读 直接带隙的半导体对光的利用率更好,发光效率高 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,决定着器件的耐压 最高工作温度及导通损耗 电子在电场作用下移动快慢程度,反应的是单位电场作用下的平均漂移 速度。迁移率大,电阻率小,通过相同电流时,功耗越小,电流承载能力越大 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,外加电场与最终介质中电场比
最后更新: 2022-07-28

相关行业研究图表


del:3逆变器PCB板
del:3逆变器PCB板-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
比亚迪采用SiC MOSFET模块
比亚迪采用SiC MOSFET模块-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
2015-2021年全国光伏发电累计装机容量及增速
2015-2021年全国光伏发电累计装机容量及增速-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
应用于PD快充的GaN芯片
应用于PD快充的GaN芯片-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
2018年-2024年全球Mini&Micro LED市场规模及增长率预测
2018年-2024年全球Mini&Micro LED市场规模及增长率预测-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
VCSEL结构
VCSEL结构-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

相关行业研究报告


天岳先进PS-Band-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务 主要投资项目情况-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务 VCSEL结构-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务
三安光电 | 安信证券 | 2022-07-27 | 41个图表

图表内容


表12:半导体性能对比
指标
Si
GaAs
Sic
GaN
指标解读
直接带隙的半导体对光的利用率更好,
禁带结构
间接带隙
直接带隙
直接带隙
间接带隙
发光效率高
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到
禁带宽度
1.1
1.4
3.3
3.4
导带的难易,决定着器件的耐压
(ev)
最高工作温度及导通损耗
电子在电场作用下移动快慢程度,反应
电子迁移率
的是单位电场作用下的平均漂移
(cm2/Vs)
速度。迁移率大,电阻率小,通过相同
电流时,功耗越小,电流承载能力越大
介质在外加电场时会产生感应电荷而削
介电常数
11.9
13.1
10.1
弱电场,外加电场与最终介质中电场比