半导体性能对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

半导体性能对比

研究报告节选:

指标解读 直接带隙的半导体对光的利用率更好,发光效率高 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,决定着器件的耐压 最高工作温度及导通损耗 电子在电场作用下移动快慢程度,反应的是单位电场作用下的平均漂移 速度。迁移率大,电阻率小,通过相同电流时,功耗越小,电流承载能力越大 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,外加电场与最终介质中电场比
《三安光电: 全球LED龙头,加速扩张化合物半导体业务版图》
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最后更新: 2022-07-28

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三安光电 | 安信证券 | 2022-07-27 | 41个图表

图表内容


表12:半导体性能对比
指标
Si
GaAs
Sic
GaN
指标解读
直接带隙的半导体对光的利用率更好,
禁带结构
间接带隙
直接带隙
直接带隙
间接带隙
发光效率高
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到
禁带宽度
1.1
1.4
3.3
3.4
导带的难易,决定着器件的耐压
(ev)
最高工作温度及导通损耗
电子在电场作用下移动快慢程度,反应
电子迁移率
的是单位电场作用下的平均漂移
(cm2/Vs)
速度。迁移率大,电阻率小,通过相同
电流时,功耗越小,电流承载能力越大
介质在外加电场时会产生感应电荷而削
介电常数
11.9
13.1
10.1
弱电场,外加电场与最终介质中电场比