图表内容
表10：应用于PD快充的GaN芯片
公司
击穿电压
导通电阻
英诺赛科
650V
130m2/200m
东科半导体
650V
200m2
Navitas
650V
70m2300m2
Transphorm
650V
35m2~480m2
GaN systems
650V
10m2~450m2
黄料来源：CASA Research
安信证茶研究中心
应用于PD快充的GaN芯片
研究报告节选:
4. 硅基氮化镓在电力电子领域应用场景多样 硅基氮化镓相比传统的硅，可以有效提高能量转化效率。硅基氮化镓的低电阻和低电容特性，能在更小的器件空间内提供更快的开关速度处理更大的电场，硅基氮化镓比普通的硅基半导体器件能在更高的温度下工作。硅基氮化镓的产品，也越来越多地出现在发电装臵采用的逆变器中以及其他工业电源转换的方案中。 硅基氮化镓有高频、耐压的特性，目前主要应用于快充市场。硅基氮化镓已在快充消费电子功率器件领域得到快速应用，并且会逐渐拓展到新能源汽车等多领域。根据 Yole 预测， 功率氮化镓在消费、汽车、通信等多种应用驱动下，市场规模在 2026 年有望达到 11 亿美元，2020-2026 年间复合增速可达 70%。 图 21：GaN 的应用场景最后更新: 2022-07-28
相关行业研究图表
国内车企布局碳化硅器件进展
公司业务板块及产品
半导体性能对比
硅基氨化镓频射技术发展阶段
光伏逆变器SC市场空间测算
逆变器内部电容器寿命和环境温度的关系
表10：应用于PD快充的GaN芯片
公司
击穿电压
导通电阻
英诺赛科
650V
130m2/200m
东科半导体
650V
200m2
Navitas
650V
70m2300m2
Transphorm
650V
35m2~480m2
GaN systems
650V
10m2~450m2
黄料来源：CASA Research
安信证茶研究中心
