图表内容
9:2.5D及3D封装技术
Micro bump
Memory
TSV
Bump
Interposer
Package Substrate or PCB
Package Substrate or PCB
2.5D1C
料来源:Verisilicon
浙商证券研究所
研究报告节选:
Chiplet 目前封装方案主要包括 2.5D 封装、3D 封装、MCM 封装等类型。2.5D 封装将多个芯片并列排在中介层(Interposer)上,经由微凸块(Micro Bump)连结,让内部金属线连接芯片间的电子讯号,再通过矽穿孔(TSV)来连结下方的金属凸块(Solder Bump),再通过导线载板连结外部金属球,实现各部件之间紧密的连接。3D 封装则直接将各芯片进行堆叠,在芯片制作电晶体(CMOS)结构,并直接使用矽穿孔来连结芯片间的电子讯号。MCM 技术是将多个 LSI/VLSI/ASIC 裸芯片和其它元器件组装在同一块多层互连基板上,然后进行封装。