图表内容
表3：我国MOSFET厂商技术追赶进度
英飞凌
士兰微
新洁能
华润微
华微电子
东微半导
电压范围
-250-1700V
30-900V
-100-900V
-100-1500V
40-900V
25-950V
平面栅
沟槽栅
屏蔽栅
超结
数据来源：各公司宫网，东吴证券研究所
我国MOSFET厂商技术追赶进度
研究报告节选:
表2：我国 IGBT 厂商技术追赶进度 英飞凌 12 英寸 微沟槽场截止 （第七代） 600-6500V 数据来源：各公司官网，东吴证券研究所最后更新: 2022-09-08
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表3：我国MOSFET厂商技术追赶进度
英飞凌
士兰微
新洁能
华润微
华微电子
东微半导
电压范围
-250-1700V
30-900V
-100-900V
-100-1500V
40-900V
25-950V
平面栅
沟槽栅
屏蔽栅
超结
数据来源：各公司宫网，东吴证券研究所
