图表内容 20:LPCVD与PECVD工艺路线对比 清洗制绒 去除背面BSG及背面抛光 PECVD LPCVD 氧化硅 热氧化硅 热氧化硅 热氧化硅 PECVD渗杂非晶硅 LPCVD本征非品硅 LPCVD本征非品硅 LPCVD掺杂非晶硅 高温磷扩散 离子注入 高温退火 高温激活及修复 高温退火 边缘多晶硅刻蚀 绕镀多晶硅刻蚀 绕镀多晶硅刻蚀 绕镀多晶硅刻蚀 去除BSG层 正面AIOx/SiNx 背面AIOx/SiNx 丝网印刷及烧结 测试分选 料来源:中科院宁波材料所,山西证券研究所