图表内容
图20:CVD法制作方法示意图1
等离
铝电极
射频
子体
沉积基片
放气环
真空泵
气体
真空计
输入
资料来源:培育钻石网,民生证券研究院
研究报告节选:
化学气相沉积法(CVD)是利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的技术。CVD 沉积金刚石时使用的是 700–800 °C 和 3kPa 这个参数(比天然金刚石形成环境要求强度低很多),原因在于导入的氢气可以在振荡电场中生成氢原子,氢原子等会猛冲到基底表面,大量的石墨会被“溅射清洗”掉,少量的金刚石核心因为可以经受这种打击所以可以继续长大结晶。MPCVD 技术是目前国内外制备单晶金刚石应用最广泛的方法。