图表内容
SiC MOSFET Die Costs*
Die Yield
Epi Yield
Burn-in
1.0
Fabrication
Epitaxy
SiC Substrate
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
Substrates at Market Price Substrate Self-Supply
*Based on PGC's 1200V/100A die cost model
相关行业研究图表
IGBT产品性能指标
宏微科技估值比较（百万，PE&PS估值对应2022/1215收盘价，宝微科技收入为国盛电子预测，可比标她收入预测为Wd一致预测）
公司毛利率、净刊率(%)
公司部分科研特况一览
纯电动车及碳化硅渗透率
世界前十大功率半导体企业近三年销售颤（化关元）
SiC MOSFET Die Costs*
Die Yield
Epi Yield
Burn-in
1.0
Fabrication
Epitaxy
SiC Substrate
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
Substrates at Market Price Substrate Self-Supply
*Based on PGC's 1200V/100A die cost model
