图表内容
图表46：宏微第三代IGBT产品对比英飞凌
参数
英飞凌T4
宏微M3引
技术指标对比
略低7.6%，该
集电极-发射极
VCEsat (V)
2.25
2.08
指标优于英飞凌
饱和压降
T4。
栅极阈值电压
VGEth (V)
5.8
5.8
基本相同
电阻略低，该指
标与应用场景相
集成栅极电阻
RGint (
关，无优劣之
击穿耐压
VCES (V)
>1200
>1200
基本相同。
高出4.9%，该
高温开通损耗
Eon (mJ)
8.4
8.73
指标弱于英飞凌
T4.
略低4.2%，该
高温关断损耗
Eoff (mJ)
4.8
4.46
指标优于英飞凌
T4。
高出14%，该
指标与应用场景
短路电流
ISC (A)
相关，无优劣之
短路极限时间
Tpmax us)
>10
>10
基本相同。
略低4.2%，该
电流密度
A/cm2)
指标弱于英飞凌
T4。
