图表内容
图表8：宏微第五代IGBT产品对比英飞凌
参数
单位
英飞凌H5
宏微M5引
技术指标对比
集电极-发射极饱
高出18%，该指标弱于英飞凌
Vcesat(V)
1.65
1.68
和压降
产品。
栅极阂值电压
Vgeth(V)
4.0
4.0
基本相同。
击穿耐压
Vces(V)
>650
>650
基本相同。
略低8.7%，该指标优于英飞凌
高温开通损耗
Eon(mJ)
3.00
2.74
产品。
高出24%，该指标弱于英飞凌
高温关断损耗
Eoff(mJ)
1.00
1.24
产品。
略低6.6%，该指标弱于英飞凌
电流密度
(A/cm2)
产品。
