图表内容
图表47宏微第四代IGBT产品对比英飞凌
参数
符号
英飞凌EDT2
宏微M41
技术指标对比
集电极-发射极
高出1.5%，该指标
VCEsat (V)
1.35
1.37
饱和压降
弱于英飞凌EDT2.
栅极阂值电压
VGEth (V)
5.8
5.8
基本相同。
集成栅极电阻
RGint(2)】
0.7
0.7
基本相同。
击穿耐压
VCES (V)
>750
>750
基本相同。
略低5.6%，该指标
高温开通损耗
Eon (mJ)
21.8
优于英飞凌EDT2.
高出47%，该指标
高温关断损耗
25.5
26.7
弱于英飞凌EDT2.
高出9.7%，该指标
短路电流
ISC (A)
与应用场景相关，无
优劣之分。
短路极限时间
Tpmax(uS)】
>3
>3
基本相同。
略低5.4%，该指标
电流密度
(A/cm2)】
弱于英飞凌EDT2.
