图表内容
图18：半导体材料性能对比
Si
金刚石
1.10
1.43
3.10
3.45
5.45
Si
饱和载流子速度(X10ms)*
1.00
1.00
2.00
2.20
1.00
GaAs
电子
禁带宽度
载流子迁移率m2N
空穴
SiC
>10
金刚石
热导率
电子迁
介电常数
11.80
12.50
9.60/10
5.50
比电阻(Qcm)
>102
>1010
>1013
热传导率侧mK)
1.5
0.46
4.90
1.30
介电常数
空穴
2.3
9.10
911.90
122.60
K eyest性能指标*(10WK1S)
6.70
2.00
34.6
9.90
144.90
饱和电子速率
击穿电场
Bai性能指标*（以S为I)】
1.00
9.50
13.10
357.2
