半导体材料性能对比-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

半导体材料性能对比

研究报告节选:

化学气相沉积法(CVD)含碳气体(CH4)、氢气CVD 沉积设备高温低压环境金刚石膜、培育钻石片状主要作为光、电、声等功能性材料,少量用于工具和钻石饰品光、电、磁、声、热等性能国外技术相对成熟,国内尚处研究阶段,应用成果较少
《惠丰钻石: 深化产业链布局,微粉冠军蓄力CVD金刚石新未来》
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最后更新: 2022-12-20

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惠丰钻石 | 山西证券 | 2022-12-18 | 48个图表

图表内容


图18:半导体材料性能对比
Si
金刚石
1.10
1.43
3.10
3.45
5.45
Si
饱和载流子速度(X10ms)*
1.00
1.00
2.00
2.20
1.00
GaAs
电子
禁带宽度
载流子迁移率m2N
空穴
SiC
>10
金刚石
热导率
电子迁
介电常数
11.80
12.50
9.60/10
5.50
比电阻(Qcm)
>102
>1010
>1013
热传导率侧mK)
1.5
0.46
4.90
1.30
介电常数
空穴
2.3
9.10
911.90
122.60
K eyest性能指标*(10WK1S)
6.70
2.00
34.6
9.90
144.90
饱和电子速率
击穿电场
Bai性能指标*(以S为I)】
1.00
9.50
13.10
357.2