图表内容
英飞凌GBT心片技术送代的性能受化情况以及出现年份
功率损
类型
结构示意图
(相对值)
芯片说明
出现时间
PT是最初代的IGBT
工艺复杂，成本高，饱和
压降呈负温度系数，不利于并联，在80年代后
面栅+穿通
期逐渐被NPT取代，目前所有的IGBT产品均不
使用PT技术。
Non
在截止时电场没有贯穿N-漂移区，NPT不需要
二代
载流子寿命控制，但它的缺点在于，如果需要更
面栅+非穿通
高的电压阻断能力，势必需要电阻率更高且更厚
T)
的N-漂移层，这意味着饱和导通电压Vce(sat)也
会随之上升，从而大幅增加器件的损耗与温升。
三代
得益于场截止以及沟槽型元胞，GBT3的通态压
曹栅+场截止
降更低，工作结温125℃较2代没有太大提升，
rench+FS)
开关性能优化。
IGBT4是目前使用最广泛的IGBT芯片技术，电
压包含600V
1200V
1700V
电流从10A到
四代
3600A。4代较3代优化了背面结构，漂移区厚
曹栅+场截止
度更薄，背面P发射极及N buffer的掺杂浓度及
ench+FS)
发射效率都有优化。同时，最高允许工作结温从
第3代的125℃提高到了150℃增加了器件的输
出电流能力。
Trench+Field-Stop III
A-J311120131
表面金属化材料使用厚铜代替了铝，因此IGBT5
曹栅+场截止
允许更高的工作结温及输出电流（提升30%）。
面覆铜
同时芯片结构经过优化，芯片厚度进一步减小。
ench+FS)
