图表内容 表5PT、NPT以及FS型IGBT主要区别 PT NPT FS 器件厚度 阻断电压 起始衬底材料 P+(CZ直拉单晶硅) N-(区熔单晶硅) N(区熔单晶硅) 电场形状 梯形 三角形 梯形 基区载流子寿命 拖尾电流 发射极效率 少子寿命控制技术 需要 不需要 不需要 温度系数 资料来源:英飞凌官网,东海证券研究所