在电池背面制备一层超薄氧将正面型晶体硅层-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

在电池背面制备一层超薄氧将正面型晶体硅层

研究报告节选:

N 型路线各有优劣,长期多技术结合实现进一步降本提效。N 型电池将衬底从 P 型硅片换成 N 型硅片,N 型硅片具备:1)少子寿命长,相同电阻率的 N型硅片的少子寿命比 P 型硅片高出 1~2 个数量级,一般都在毫秒级;2)N 型硅片对金属杂质不敏感,对金属污染的容忍度要高;3)光致衰减不明显,P 型电池中存在由 B-O 对形成的复合中心,导致有明显的光致衰减(LID)现象出现等优势,因此 N 型电池整体较 P 型电池转换效率更高。各种 N 型技术路线各有优势,短期看,TOPCon 和 HJT 由于工艺难度相对容易,投资成本较 IBC 更低而率先推广应用,长期看,IBC 转换效率提升空间更大,同时 IBC 可与 TOPCon及 HJT 技术结合,形成 TBC 或 HBC 路线,进一步提升电池转换效率。
最后更新: 2023-01-18

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晶科能源 | 东方财富证券 | 2023-01-18 | 56个图表

图表内容


在电池背面制备一层超薄氧将正面型晶体硅层
将发射机和基极放
在电池背面额外
化硅(隧穿氧化层),再沉
换成非晶硅,并用N型置于电池背面,电
附加一道轻掺杂
提效原理
积一层掺杂多晶硅薄层,二
硅片和非晶硅组成PN
池正面无金属化电
工艺,降低背面
者形成钝化接触结构,有效
结,降低PW结处的复
极遮挡入射光,提
的俄歌复合
降低复合速度
合损失
升进光量
提效方式
减少电学损失
减少电学损失
减少电学损失
减小光学损失
理论效率极限
24.5%
28.7%
27.5%
29.1%
技术难度
容易
较容易
有难度
难度高
工序
较少
最少
非常多
设备投资
较低
非常高
与现有产线兼
现有主流产
可用现有设备升
有机会由新产线升级
完全不兼容
几乎不兼容
容性
接近效率极
与双面PERC相比
面临问题
效率提升空间低于IBC
降本
难度大,成本高
无性价比
料来源:PV infolink

《N型高效品体硅太阳能电池关健技术研究》,OFweek
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