图表内容
图38:电镀电极异质结太阳电池的工艺
n型单晶硅片
n型单晶硅片
n型单晶硅片
①电镀基底
·②双面沉积种子层·③双面电镀掩膜制备
n型单晶硅片
n型单晶硅片
n型单晶硅片
④双面铜/锡电镀·⑤电镀掩膜剥离+⑥种子层腐蚀
资料来源:《硅异质结太阳电池接触特性及铜金属化研究》,民生证券研究
研究报告节选:
图形化环节主要包括镀种子层、掩膜/感光胶、曝光显影等步骤。直接在 TCO上电镀,镀层和 TCO 间的接触为物理接触,附着力主要为范德华力,容易引起电极脱落,且在 TCO 上电镀金属是非选择性的,需在电镀之前在透明导电薄膜表面沉积种子层,并沉积图形化的掩膜,以实现选择性电镀。下图为具有电镀铜电极的异质结太阳电池结构及工艺流程。为改善金属与透明导电薄膜的接触及附着特性,引入一层极薄的种子层(100 nm),增加电镀金属与 TCO 之间的附着性能;然后通过图形转移技术选择性地获得电极的设计图案。