图表内容
表5：N型硅片与P型硅片的不同
掺杂
分凝系
多数载
少数载
少子寿
纯度要
金属污染
元素
流子
流子
容忍度
P型硅片
0.8
空穴
电子
6个9
N型硅片
0.3
电子
空穴
9个9
数据来源：Solarbe
东吴证券研究所
N型硅片与P型硅片的不同
研究报告节选:
下游 N 型电池技术的发展对硅片提出 N 型化需求，N 型化的技术要求和难点多，要求更高的少子寿命和更低的氧含量。碳、氧、金属元素等杂质含量的提高会对硅片少子寿命造成显著影响，N 型硅片对杂质含量要求更为苛刻，若氧含量控制不佳，容易出现同心圆、黑心片等问题。2021 年单晶硅片（P+N 型）市场占比约 94.5%，其中 P 型单晶硅片占比约 90.4%，N 型单晶硅片约 4.1%，据 CPIA 预测 2022 年 N 型单晶硅片占比约 10%，随着未来 HJT、TOPCon 等 N 型电池技术发展，N 型硅片占比将进一步提升。 表5：N 型硅片与 P 型硅片的不同 掺杂元素 P 型硅片 硼 N 型硅片 磷 数据来源：Solarbe，东吴证券研究所最后更新: 2023-01-20
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N型硅片占比持续提升
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(统计区间为2020/1/1-2023/1/20，按订单金额加总)
表5：N型硅片与P型硅片的不同
掺杂
分凝系
多数载
少数载
少子寿
纯度要
金属污染
元素
流子
流子
容忍度
P型硅片
0.8
空穴
电子
6个9
N型硅片
0.3
电子
空穴
9个9
数据来源：Solarbe
东吴证券研究所
