公司逻辑芯片领域应用产品和研发项目情况(戴至2022年11月2日)-小牛行研(hangyan.co)-AI驱动的行业研究数据服务

公司逻辑芯片领域应用产品和研发项目情况(戴至2022年11月2日)

研究报告节选:

材料 HfO2 较好的满足了 28nm 逻辑器件制造过程的需要。设备总体表现和工艺关键性能参数达到国际同类水平,并已获得客户重复订单认可,成功解决了一项半导体设备“卡脖子”难题。
最后更新: 2023-01-20

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微导纳米 | 华安证券 | 2023-01-20 | 62个图表

图表内容


图表55公司逻辑芯片领域应用产品和研发项目情况(戴至2022年11月2日)
产品系列
设备类型
产业化阶段
凤凰(P)系列原子层沉积镀膜系
HfO2工艺
逻辑芯片—高k栅介质层
产业化应用
TALD
龙(Dragon)系列真空传输系统
真空传输系统
半导体设备品圆传揄平台系统
产业化应用
名称
拟达到的目标
应用领战
所处阶段
开发具有国际水平的半导体制造ALD设备产
半导体制造ALD设备平台
半导体等领域
开发实现阶段
品及配套工艺平台
基于300mm品圆半导体制造高产
开发具有自主知识产权的原子层沉积团簇平
能自动化真空传输技术的研究与
台,是生产ALD和其它10nm以下的工艺腔
半导体等领域
开发实现阶段
产业化
体必备的低微尘、高产能的晶圆传输平台
28nm及以下技术节点高介质橱氧
开发用于先进芯片制造高介电常数(Hgh
及金属栅工艺技术和装备的国产
半导体等领域
开发实现阶段
k)材料的原子层沉积(ALD)设备及工艺
资料来源:公司招股说明书,华安证券研究所整理