图表内容
表3:量测设备在晶圆制造过程的主要测试项目
注入
扩散
金属薄膜
电解质薄膜
抛光
刻蚀
膜厚
膜应力
折射率
参杂浓度
关键尺寸(CD)
套刻标记
电容电压特性
接触角度
研究报告节选:
量测/检测设备贯穿晶圆制造全过程,国产需求迫在眉睫 在集成电路芯片的制造过程中,几乎每一环节都需要工艺检测设备的加入。根据量测/检测设备的监控内容差异可将此类设备分为两大类:Metrology 测量关键参数:膜厚测量、套壳误差测量、关键尺寸测量、晶圆形貌测量;Inspection 检测关键缺陷:无图案检测、有图案检测、缺陷复检、光罩/掩模板检测。从实现手段出发,可将工艺控制设备分为:光学、电子束、电性、X 光等,其中光学相关的设备市场份额占比为 75.2%。在集成电路芯片前道制造过程中,工艺检测设备需要对生产过程中每一环节的产出品均进行无损伤的定量测量及缺陷检测工序,以确保圆片在进入下一道工艺前的各项参数及性能可以达到相关指标要求,对于后续可能出现缺陷的圆片进行分类同时剔除不合格的产品,确保制造过程的稳定性,有助于避免后续工艺的浪费。