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图表：IGBT与B]T、MOSFET性能对比
口GBT攻守兼备综合性能优秀。IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，它由绝缘栅
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IGBT与B]T、MOSFET性能对比
研究报告节选:
IGBT结合MOSFET与BJT优势，被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件，SiC MOSFET具备一定优势，但成本是IGBT1.78倍《2022年中国功率半导体（IGBT）行业研究：新能源汽车+充电桩双轮驱动，拉动IGBT需求扶摇直上》
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最后更新: 2023-02-06
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