图表内容
图表46：主要功率器件应用范围
特性
Si
GaAs
4H-SiC
6H-SiC
2H-GaN
禁带宽度/eV
1.12
1.424
3.26
3.02
3.39
电子迁移率/(cm2/(W·s)
击穿电场强度/(10V/cm)
0.3
0.4
2.2
2.5
3.3
热导率/(w/(m·K)
饱和速度/(105m/s)
2.7
2.9
介电常数
11.8
12.8
9.7
8.9
黄料来源：集成电路产业全书，信达证泰研发中心
主要功率器件应用范围
研究报告节选:
高压+高功率密度趋势下， SIC 渗透率或将提升。未来电机控制器技术发展趋势为高安全性,高功率密度化以及高压化。随着 800V 渗透率的提升，大功率和大电流条件下减少损耗、增大效率和减小器件尺寸成为需求点，电机控制器的主驱逆变器从硅基 IGBT 逐渐替换为 SiC 基 MOS 模块，存量替代市场空间较大。 作为第三代半导体材料的代表，SiC 具有大禁带宽度、高击穿电场强度、高饱和漂移速度和高热导率等优良特性。SiC 的禁带宽度（2.3-3.3eV）约是 Si 的 3 倍，击穿电场强度（0.8 × 106𝑉/𝑐𝑚-3 × 106𝑉/𝑐𝑚）约是 Si 的 10 倍，热导率（490W/(m·K)）约是 Si 的 3.2倍，可以满足高温、高功率、高压、高频等多种应用场景。最后更新: 2023-02-09
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主要功率器件应用范围
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图表46：主要功率器件应用范围
特性
Si
GaAs
4H-SiC
6H-SiC
2H-GaN
禁带宽度/eV
1.12
1.424
3.26
3.02
3.39
电子迁移率/(cm2/(W·s)
击穿电场强度/(10V/cm)
0.3
0.4
2.2
2.5
3.3
热导率/(w/(m·K)
饱和速度/(105m/s)
2.7
2.9
介电常数
11.8
12.8
9.7
8.9
黄料来源：集成电路产业全书，信达证泰研发中心
